1、D 由三甲基一氯硅的化学式(CH3)3SiCl可知,三甲基一氯硅由碳、氢、硅、氯四种原子构成的,而不是4个原子,故D说法错误。
2、名字应该是“三甲基一氯硅烷”,亦可简称为“三甲基氯硅烷”,结构简式(CH3)3SiCl 三甲基氯硅烷十分易燃,燃烧火焰明亮,有白色固体生成。三甲基氯硅烷和水反应生成盐酸。被污染的水无毒,但含有盐酸,盐酸就是污染物。不能被过滤。其危害如下:健康危害 侵入途径:吸入、食入、经皮吸收。
3、SlHCl3+nH2O —→SiO2?nH2O + Cl2+HCl (2 ) 易挥发、易汽化 (3 ) 易着火、易爆炸:三氯氢硅的发火点为28℃,燃烧时产生氢气和氯化氢,其反应如下:SiHCl3 +O2 —→SiO2 + Cl2 + HCl 三氯氢硅蒸汽燃烧时具有天蓝色的火焰,在氧不足的情况下产生浓的白烟(可用作烟雾弹)。
4、三甲基一氯硅烷和水的反应方程式:2(CH)SiCl+H0=Si(CH)O+2HCl 三甲基一氯硅烷和水反应,生成六甲基二硅氧烷和盐酸:醇与三甲基一氯硅烷反应生成三甲基硅醚。
1、三氯甲硅烷(SiHCl3)是一种含有硅、氢、氯三种元素的化合物。(2)蒸馏是一种分离液体混合物的方法,其原理是利用混合物中各成分沸点的不同来实现分离。(3)在还原过程中,粗硅(SiHCl3)与氢气(H2)反应,在1084℃的高温条件下生成高纯硅(Si)和氯化氢(HCl)。
2、三氯甲硅烷(SiHCl3)还原法是当前制备高纯硅的主要方法。SiHCl3+H2=(一定条件)=Si+3HCl。SiHCl3遇水剧烈反应生成H2SiOHCl和H2,化学反应方程式为3SiHCl3+3H2O==H2SiO3+H2↑+3HCl;在这个高温过程中若混入O2,H2有可能和O2发生爆炸。
3、SiHcl3+H2=Si+3HCl (高温条件下)HCL再和粗Si在300度的条件下生成三氯甲硅烷和氢气。该反应是一可逆反应。反应达到一定平衡后就会达到动态平衡。制备硅半导体材料必须先得到高纯硅。三氯甲硅烷(SiHCl3)还原法,即通过上面化学得到单质硅是当前制备高纯硅的主要方法。
4、三氯硅烷(SiHCl3)与氢气(H2)在1357K的高温条件下反应,生成高纯度的硅(Si)和氯化氢(HCl)。反应的化学方程式可以表示为:SiHCl3 + H2 → Si + 3HCl。(4)在比较硅(Si)和氯(Cl)的非金属性时,我们可以发现硅的非金属性小于氯。
5、SiHCl3 + 3H2O =H2SiO3 + 3HCl + H2↑。反应非常剧烈。
6、三氯甲硅烷和氢气在石英管中反应不能进行,是因为石英管的温度过高。三氯甲硅烷是一种易燃的有机物,它在与氢气反应时会产生热量,而石英管的温度可以达到1200摄氏度。如果将三氯甲硅烷和氢气放入石英管中反应,石英管的温度很可能会超过三氯甲硅烷的燃点,从而导致爆炸。
四甲基硅烷。化学式C4H12Si。外观无色液体,易挥发。密度相对密度(等于1)0.65。熔点零下99℃。沸点25℃。水溶性不溶于水溶于醚等多数有机溶剂。四甲基硅烷为烷烃类有机物,可用作硅烷试剂。四甲基硅烷,英文名Tetramethylsilane,简称TMS。作为内标物,常用于核磁共振(NMR)测试中。
TMS,四甲基硅烷;四甲基甲硅烷;tetramethylsilane 分子式:(CH3)4Si .性质:无色易挥发液体。熔点-99℃。沸点26~28℃。闪点0℃。折射率3580。密度0.648g/cm3。化学稳定,不被浓硫酸或强碱分解。在紫外线照射下,可氯化成氯甲基三甲基硅烷。
TMS是四甲基硅烷;四甲基甲硅烷;tetramethylsilane的英文缩写,有其他不懂可以再问我。
四甲基硅(TMS)。以四甲基硅(TMS) 为标准物质, 规定: 它的化学位移为零,然后, 根据其它吸收峰与零点的相对距离来确定它们的化学位移值。核磁化学位移为0的物质是四甲基硅(TMS)。