1、因此,一个立方晶胞底面上的原子总数为2(角落原子)+ 1(对角线原子)= 3个。面密度定义为晶面上的原子个数除以晶面面积。对于面心立方(FCC)晶格,晶面面积为晶格常数a的平方,即a^2。所以面密度ρ为3个原子除以a^2,即ρ = 3/a^2。面心立方晶格中,金属原子位于立方体的八个角上和六个面的中心。
2、四个角 4 个原子,但每个角上的原子只有 1/4 在立方晶胞的底面上, 以一个面计算,共有 4*1/4 = 1 个原子对角线上(面心的“心”) 1 个原子,一个晶胞的底面上共有2个原子,面密度 2/S = 2/a^2。
3、面心立方的可以直接用公式,因为h,k,l三个值都是奇数,晶面间距为三分之根号三。至于面致密度,画出该面单位面的原子排布,原子面积除以该面总面积就是答案 如:100面是二分之a,110面是二分之根号二a,111面是二分之根号三a。a为晶格常数。
4、例如,对于100晶面,其单位面积内的原子数量为晶格常数a除以该面的面积,即ρ = 2a / (a * a) = 2/a^2。类似地,对于110晶面,面致密度ρ = 2a / (√2a * √2a) = 2/2a^2 = 1/a^2。对于111晶面,ρ = 2a / (√3a * √3a) = 2/3a^2。
5、体心立方晶格(BCC)的致密度计算公式为K=nv/V,其中n为原子个数,v为一个原子的体积,V为晶胞的体积(a的三次方)。以BCC晶格为例,原子数为2,原子半径为(√3/4)*a,晶胞体积为a^3,由此计算得出致密度K=0.68。
6、对于硅的立方晶胞,观察(100)晶面时,可以看到有5个原子分布在该晶面上,其中4个位于顶角,1个位于面心。但是,实际上只有2个原子完全属于该晶面,因为每个顶角原子只有四分之一属于该晶面。因此,该晶面的面积为a×a=a2,所以(100)晶面的原子面密度为2/a2,其中a是晶格常数。
1、是0.5个原子,因为体心的位置为(0.5,0.5,0.5)不可能在(111)晶面上的。所以体心立方(111)的面密度为1/(√3a2)。单位面积上有多少个原子。题主同样要注意面密度和面致密度的区别。
2、每一个体心立方晶胞含有两个原子。每一个角上的原子都与中心的原子接触。从立方体的一个角到中心,然后再到另一个角的直线的长度为4r,其中r是原子的半径。
3、面心晶格的晶胞共有四个原子,顶点一个(8*1/8=1),面心有三个(每个面心原子属于两个晶胞,每个晶胞分摊到6*1/2=3个),共四个。
4、每个晶胞中含有18个原子(8个角落原子和1个中心原子),因此,每个原子的最近邻原子数为8,配位数为8,致密度为0.68。具有体心立方晶格的金属包括铬(Cr)、钨(W)、钼(Mo)、钒(V)和铁(Fe)等。
5、体心立方晶格(bcc)体心立方晶格的特点是晶胞为一个立方体,其中包含一个位于立方体中心的原子和八个位于角上的原子。晶格常数a、b、c相等,且晶胞的三个轴角均为90度。每个晶胞中的原子数为1+8×(1/8)=2个,每个原子的最近邻原子数为8,因此配位数为8。其致密度为0.68。
体心立方晶格有0.5个原子。因为体心的位置为(0.5,0.5,0.5)不可能在(111)晶面上的。所以体心立方(111)的面密度为1/(√3a2)。单位面积上有多少个原子。题主同样要注意面密度和面致密度的区别。体心立方晶格,在立方晶胞的八个顶点各有一个原子,在体中心有一个原子,每个原子与空间点阵的一个阵点相对应。
在体心立方晶格中,晶胞包含八个角上的原子和一个中心原子。单位晶胞中的原子数为2,配位数为8,原子半径为根号(3)/4倍的晶格常数a,致密度为0.68。体心立方晶格的原胞与晶胞不同,原胞由一个顶点作为原点,向三个近邻的体心作出基矢构成。
格子的说法不够准确,应该称为晶胞。简单立方晶体中,一个晶胞含有一个原子。如图:8个原子位于立方体的8个顶点,每个原子由8个晶胞共有,每个晶胞含有原子个数=8×1/8=1单质钋(Po),化合物KMgF3晶体为简单立方堆积。
面心立方的可以直接用公式,因为h,k,l三个值都是奇数,晶面间距为三分之根号三。至于面致密度,画出该面单位面的原子排布,原子面积除以该面总面积就是答案 如:100面是二分之a,110面是二分之根号二a,111面是二分之根号三a。a为晶格常数。
体心立方晶格(BCC)的致密度计算公式为K=nv/V,其中n为原子个数,v为一个原子的体积,V为晶胞的体积(a的三次方)。以BCC晶格为例,原子数为2,原子半径为(√3/4)*a,晶胞体积为a^3,由此计算得出致密度K=0.68。
一个面心立方晶格有4个完整的原子。这样,立方体的体积为1,通过r算出一个原子的体积,再用4个原子体积除以立方体体积,就是所求的致密度了。
面密度定义为晶面上的原子个数除以晶面面积。对于面心立方(FCC)晶格,晶面面积为晶格常数a的平方,即a^2。所以面密度ρ为3个原子除以a^2,即ρ = 3/a^2。面心立方晶格中,金属原子位于立方体的八个角上和六个面的中心。面心原子与角落原子紧邻。
一个FCC晶胞共有8*1/8+6*1/2=4个原子,原子的总体积为V1=4*4πr/3。面心立方的密排方向为[110],从而有4r=a*sqrt(2)。单个晶胞的体积为V2=a,联立前面三个式子可计算其致密度为η=V1/V2=π*√2/6=74%。

密度是两式之比,为0.5π/(2sqr(3)=sqr(3)/12 上述sqr()表示开平方。
钴蓝晶胞结构的密度也可以通过计算得到,可以使用密度计算公式:密度=m/V,其中m为钴蓝晶胞的质量,V为钴蓝晶胞的体积,通过计算可以得到钴蓝晶胞结构的密度。
面心立方的可以直接用公式,因为h,k,l三个值都是奇数,晶面间距为三分之根号三。至于面致密度,画出该面单位面的原子排布,原子面积除以该面总面积就是答案 如:100面是二分之a,110面是二分之根号二a,111面是二分之根号三a。a为晶格常数。
晶体结构中原子体积占总体积的百分比,即空间利用率,称为致密度,用紧密系数、堆积密度或致密度表示。致密度的计算公式为致密度 = n / V,其中n为晶胞中原子数,V为晶胞体积。
高中晶胞参数计算公式是:c=M/Na*N。高中晶胞参数的概念:轴长和轴角统称为晶胞参数。
晶格常数计算公式ρ=ZM/a^3。其中,ρ表示晶体的密度,Z是单位胞(晶胞)中原子、离子或分子的数目,M是单位胞中原子、离子或分子的摩尔质量,a是晶格常数。该公式表明,晶体的密度与晶格常数成反比例关系,即晶格常数越大,密度越小;晶格常数越小,密度越大。