面心立方原子个数除以晶格常数的三次方的结果是面致密度。
面心立方的可以直接用公式,因为h,k,l三个值都是奇数,晶面间距为三分之根号三。至于面致密度,画出该面单位面的原子排布,原子面积除以该面总面积就是答案 如:100面是二分之a,110面是二分之根号二a,111面是二分之根号三a。a为晶格常数。
对角线上的原子位于面心,每个晶胞底面上有一个对角线原子。因此,一个立方晶胞底面上的原子总数为2(角落原子)+ 1(对角线原子)= 3个。面密度定义为晶面上的原子个数除以晶面面积。对于面心立方(FCC)晶格,晶面面积为晶格常数a的平方,即a^2。
晶格常数计算公式ρ=ZM/a^3。其中,ρ表示晶体的密度,Z是单位胞(晶胞)中原子、离子或分子的数目,M是单位胞中原子、离子或分子的摩尔质量,a是晶格常数。该公式表明,晶体的密度与晶格常数成反比例关系,即晶格常数越大,密度越小;晶格常数越小,密度越大。
面中心的原子与该面四个角上的原子紧靠。具有这种晶格的金属有铝(Al)、铜(Cu)、镍(Ni)、金(Au)、银(Ag)、γ-铁(γ-Fe,912℃~1394℃)等。
面心立方晶格的晶胞具有以下特性:晶格常数:a=b=c,α=β=γ=90°,表明晶胞在三个维度上的尺寸是相同的,并且每个角度都是直角。晶胞原子数:1/8×8+1/2×6=4(个),这意味着每个晶胞包含4个原子。这种计算方式考虑了顶点和面中心的原子被多个晶胞共享的情况。

1、面心立方的可以直接用公式,因为h,k,l三个值都是奇数,晶面间距为三分之根号三。至于面致密度,画出该面单位面的原子排布,原子面积除以该面总面积就是答案 如:100面是二分之a,110面是二分之根号二a,111面是二分之根号三a。a为晶格常数。
2、面心立方的致密度是0.74。面心立方:一个胞共有8*1/8+6*1/2=4个原子。面心立方密排方向为,从而有4r==a*√2。同样可计算其致密度为η=V1/V2=π*√2/6=74%。
3、体心立方:首先在一个晶胞中总共有8*1/8+1=2个原子,这个两个原子的体积为V1=2*4/3πr^3,而晶胞体积为V2=a^3。根据晶胞中的原子分布可知,体心立方密排方向为[111],从而可以得到4r=a*√3。根据上述可以计算其致密度为η=V1/V2=π*√3/8=68%。
4、体心立方晶格(BCC)的致密度计算公式为K=nv/V,其中n为原子个数,v为一个原子的体积,V为晶胞的体积(a的三次方)。以BCC晶格为例,原子数为2,原子半径为(√3/4)*a,晶胞体积为a^3,由此计算得出致密度K=0.68。
5、面心立方晶格(FCC)的一个晶胞包含8个顶点上的原子的1/8以及6个面上的原子的1/2,共计4个原子。设单个原子的体积为V1,可得V1=4*4πr/3。已知面心立方的密排方向为[110],由此推导出4r=a*sqrt(2)。晶胞体积V2=a。
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致密度是晶体结构中原子体积占总体积的百分比。计算公式为致密度 = n / V,其中n为晶胞中原子数,V为晶胞体积。堆垛方式:面心立方结构的堆垛方式遵循ABC ABC ABC模式,以获得最紧密的排列。密排面和密排方向:密排面为由三条面对角线组成的平面,表示为。密排方向即为面对角线的方向。
面心立方的可以直接用公式,因为h,k,l三个值都是奇数,晶面间距为三分之根号三。至于面致密度,画出该面单位面的原子排布,原子面积除以该面总面积就是答案 如:100面是二分之a,110面是二分之根号二a,111面是二分之根号三a。a为晶格常数。
致密度计算公式:K=nv/V n为原子个数、v为一个原子的体积、V为晶胞的体积(a的三次方)即 K=(原子个数*4π(r^3)/3(a^3)面心立方晶格的金属原子分布在立方体的八个角上和六个面的中心,面心立方结构的晶胞所占的原子数为4个,晶格常数:a=b=c,α=β=γ=90°。
体心立方晶格(BCC)的致密度计算公式为K=nv/V,其中n为原子个数,v为一个原子的体积,V为晶胞的体积(a的三次方)。以BCC晶格为例,原子数为2,原子半径为(√3/4)*a,晶胞体积为a^3,由此计算得出致密度K=0.68。
晶体结构中原子体积占总体积的百分比,即空间利用率,称为致密度,用紧密系数、堆积密度或致密度表示。致密度的计算公式为致密度 = n / V,其中n为晶胞中原子数,V为晶胞体积。