;Si 3 N 4 (2)Si 3 N 4 + 16HF=3SiF 4 ↑+ 4NH 4 F (3) 3SiCl 4 + 2N 2 + 6H 2 Si 3 N 4 + 12HCl 试题分析:(1)氮元素是7号元素,原子结构示意图是 。氮化硅中氮显-3价,硅显+4价,所以其化学式是Si 3 N 4 。
蓝色圆球是氮原子,灰色圆球是硅原子氮化硅(Si3N4)存在有3种结晶结构,分别是α、β和γ三相。α和β两相是Si3N4最常出现的型式,且可以在常压下制备。γ相只有在高压及高温下,才能合成得到,它的硬度可达到35GPa。
氮化硅,固体的Si3N4是原子晶体,是空间立体网状结构,每个Si和周围4个N共用电子对,每个N和周围3个Si共用电子对,大体上是和金刚石中的碳原子结构类似,不过是六面体又称六方晶体。氮化硅是由硅元素和氮元素构成的化合物。
氮化硅,固体的Si3N4是原子晶体,是空间立体网状结构,每个Si和周围4个N共用电子对,每个N和周围3个Si共用电子对,空间几何能力比较强的话你可以自己想象一下...大体上是和金刚石中的碳原子结构类似,不过是六面体又称六方晶体。
氮化硅的基本特性:氮化硅是一种高温陶瓷材料,具有出色的高温稳定性、高硬度、高化学稳定性以及优异的力学强度等特性。由于其独特的化学性质,氮化硅在材料科学领域中占据重要地位。 氮化硅的晶体结构:氮化硅属于原子晶体,其晶体结构是由氮和硅原子通过强化学键结合而成。

1、氮化硅的性质:一种超硬物质,本身具有润滑性,并且耐磨损;除氢氟酸外,它不与其他无机酸反应,抗腐蚀能力强,高温时抗氧化。而且它还能抵抗冷热冲击,在空气中加热到1000 摄氏度以上,急剧冷却再急剧加热,也不会碎裂。相对分子质量140.28。灰色、白色或灰白色。六方晶系。晶体呈六面体。密度44。
2、氮化硅具有独特的物理和化学性质,其相对分子质量为140.28,晶体结构为六方晶系,呈现灰色、白色或灰白色。氮化硅的密度为44g/cm,硬度在9~5之间,努氏硬度约为2200,显微硬度高达32630MPa。
3、氮化硅的基本特性:氮化硅是一种高温陶瓷材料,具有出色的高温稳定性、高硬度、高化学稳定性以及优异的力学强度等特性。由于其独特的化学性质,氮化硅在材料科学领域中占据重要地位。 氮化硅的晶体结构:氮化硅属于原子晶体,其晶体结构是由氮和硅原子通过强化学键结合而成。
1、氮化硅的化学式为Si3N4,呈白色粉状晶体。其熔点高达1900℃,在20℃时的密度为44克/厘米。氮化硅存在两种晶体结构:α型呈现六方密堆积结构,而β型则展现为似晶石结构。当氮化硅中含有杂质或硅含量过高时,其外观呈灰色。作为一项重要的材料科学成就,氮化硅以其卓越的性能而著称。
2、氮化硅化学式Si3N4。白色粉状晶体;熔点1900℃,密度44克/厘米(20℃);有两种变体:α型为六方密堆积结构;β型为似晶石结构。氮化硅有杂质或过量硅时呈灰色。氮化硅的强度很高,尤其是热压氮化硅,是世界上最坚硬的物质之一。
3、Si3N4。硅+4价,氮-3甲,氮化硅的化学式是Si3N4。氮化硅陶瓷抗腐蚀能力强,除氢氟酸外,不与其余无机酸反应,化学方程式为Si3N4+12HF=3SiF4↑+4NH3↑;(SiF4为气体)。氮化硅是一种无机物,化学式为Si3N4。
4、Si 3 N 4 (2)Si 3 N 4 +12HF 3SiF 4 ↑+4NH 3 ↑(3)3SiCl 4 +2N 2 +6H 2 Si 3 N 4 +12HCl (1)根据Si元素最高为+4价,氮元素负化合价为-3,化合物中化合价代数和为0,故氮化硅化学式为Si 3 N 4 。(2)根据硅元素的特性之一:与F元素组合成SiF 4 。
5、氮化硅中氮显-3价,硅显+4价,所以其化学式是Si 3 N 4 。(2)根据原子守恒可知,该反应的化学方程式应该是Si 3 N 4 + 16HF=3SiF 4 ↑+ 4NH 4 F。(3)根据原子守恒可知,该反应的化学方程式应该是3SiCl 4 + 2N 2 + 6H 2 Si 3 N 4 + 12HCl。
6、简单地讲,就三种方法:(1)2N2+6H2+3SiCl4==高温==12HCl+Si3N4 。
氮化硅可通过硅粉在氮气中加热或卤化硅与氨反应制得。氮化硅在高温陶瓷原料、热陶瓷制品生产中具有重要应用。氮化硅陶瓷制品的生产方法包括反应烧结法和热压烧结法。
由于氮化硅是键强高的共价化合物,并在空气中能形成氧化物保护膜,所以还具有良好的化学稳定性,1200℃以下不被氧化,1200~1600℃生成保护膜可防止进一步氧化,并且不被铝、铅、锡、银、黄铜、镍等很多种熔融金属或合金所浸润或腐蚀,但能被镁、镍铬合金、不锈钢等熔液所腐蚀。
晶体结构和特性合成方法特点应用更多信息材料性能技术发展 历史 亨利·爱丁·圣克莱尔·德维尔和弗里德里希·维勒在1857年首次报道了氮化硅的合成方法。在他们报道的合成方法中,为减少氧气的渗入而把另一个盛有硅的坩埚埋于一个装满碳的坩埚中加热。