非晶态半导体非晶态半导体的电子结构
1、非晶态半导体与晶态半导体在基本能带结构上相似，都包含导带、价带和禁带，这些特性源自原子间的化学键结构。例如，非晶态的锗（Ge）和硅（Si）通过sp杂化形成四面体键，价电子间的共价键形成价带，而反键态则对应于导带。
2、非晶态与晶态半导体具有类似的基本能带结构，也有导带、价带和禁带（见固体的能带）。材料的基本能带结构主要取决于原子附近的状况，可以用化学键模型作定性的解释。以四面体键的非晶Ge、Si为例，Ge、Si中四个价电子经sp杂化，近邻原子的价电子之间形成共价键，其成键态对应于价带；反键态对应于导带。
3、非晶态半导体器件是以非晶态半导体材料为主体制成的固态电子器件。以下是关于非晶态半导体器件的详细解释：材料特性：非晶态半导体虽然在整体上分子排列无序，但仍具有单晶体的微观结构，因此具有许多特殊的性质。这些特性使得非晶态半导体在电子器件制造中具有独特的应用价值。
4、非晶态半导体器件，其主要组成部分是非晶态半导体材料，形成固态电子器件。过去，人们普遍认为，由于非晶态半导体的性质，不能通过掺杂方法控制其电阻率，因此应用范围受限。直到1975年，英国的W.G.斯皮尔在使用辉光放电分解硅烷法制备非晶硅薄膜中实现掺杂成功。
5、非晶态半导体分为硫系玻璃和四面体键非晶态半导体两大类。 硫系玻璃包含硫族元素，如As-Se和As-S，制备方法通常通过熔体冷却或汽相沉积技术。 四面体键非晶态半导体如非晶硅、锗和镓砷等，主要通过薄膜沉积技术制备，并依赖于衬底温度的控制。
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褚圣麟主要论著
1、褚圣麟主要论著涵盖了多个领域，包括物理、气象、宇宙辐射、原子核物理学以及铁磁学等。在物理领域，褚圣麟于1936年在《物理评论》上发表了关于高频火花离子正射线分析的论文。此外，他还与赵邦俊合作，于1938年在《中央研究院气象研究所集刊》上发表了关于中国广州地面电位梯度和大气电流密度的测量结果。
2、还培养了一批既有深厚的理论功底，又有丰富实践经验和技能操作的“双师型”教师，并结合各学科专业特点组建了一支由生产第一线工程师、行业专家组成的 *** 教师队伍，从而能及时把最新技术、最新理念和最新的企业精神带到课堂里来。教师科研成果突出，CN级刊物发表论文3010 篇；出版论著280部。