急问氮化铝的制备、性质及用途
1、氮化铝粉末纯度高，粒径小，活性大，是制造高导热氮化铝陶瓷基片的主要原料。氮化铝陶瓷基片，热导率高，膨胀系数低，强度高，耐高温，耐化学腐蚀，电阻率高，介电损耗小，是理想的大规模集成电路散热基板和封装材料。
2、作为电绝缘体，氮化铝的介电性能优异，常被用于制作电器元件，展现出良好的电气性能。此外，氮化铝涂层对砷化镓的保护作用显著，可防止其在退火过程中遭受离子注入。它还是一种催化剂，能够促使六方氮化硼向立方氮化硼的转变。
3、氮化铝导热性好，热膨胀系数小，是良好的耐热冲击材料。具有优异的抗热震性。AIN的导热率是A1203的2~3倍，热压时强度比A1203还高。氨化铝对Al和其他熔融金属、砷化，等具有良好的耐蚀性，尤其对熔融Al液具有极好的耐侵蚀性，还具有优良的电绝缘性和介电性质。
4、AlN是原子晶体，属类金刚石氮化物，最高可稳定到2200℃。室温强度高，且强度随温度的升高下降较慢。氮化铝室温下与水缓慢反应.可由铝粉在氨或氮气氛中800~1000℃合成，产物为白色到灰蓝色粉末。或由Al2O3-C-N2体系在1600~1750℃反应合成，产物为灰白色粉末。或氯化铝与氨经气相反应制得。
5、碳元素的化合价从0价升高到＋2价，失去2个电子，所以氮气是氧化剂，碳是还原剂，选项A不正确，其余选项都是正确的，答案选A。点评：该题是高考中的常见题型，属于中等难度的试题。试题基础性强，侧重对学生基础知识的巩固和训练，有利于提高学生的逻辑推理能力和应试能力。
半导体问题求助:单晶硅和铝接触时,接触面的铝究竟是当做N型还是P型...
N型半导体 也称为电子型半导体。N型半导体即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。在纯净的硅晶体中掺入Ⅴ族元素（如磷、砷、锑等），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半导体。这类杂质提供了带负电（Negative）的电子载流子，称他们为施主杂质或n型杂质。
掺杂材料不同：P型和N型单晶硅片中，掺杂的材料不同。P型单晶硅片中掺杂的是三价元素（如硼或铝），掺杂后形成的杂质原子会失去一个电子，留下一个空位或“空穴”。而N型单晶硅片中掺杂的是五价元素（如磷或砷），掺杂后形成的杂质原子会多余一个电子，成为自由电子。
P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体；N型半导体即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。P型和N型半导体都属于杂质半导体，掺杂过程涉及向本征半导体添加掺杂物原子，从而在达到热平衡的过程中改变电子和空穴这两种载流子的分布。
P型半导体的“P”表示正电的意思，取自英文Positive的第一个字母。N型半导体的“N”表示负电的意思，取自英文Negative的第一个字母。半导体中有两种载流子，即价带中的空穴和导带中的电子，以电子导电为主的半导体称之为N型半导体，与之相对的，以空穴导电为主的半导体称为P型半导体。
铝合金是单晶吗
不是啊，铝合金一般是靠在晶粒内或晶界上析出强化相来强化的。
金属中的原子扩散率高，通过调整扩散过程，使其结构和性能具有很大的可调性，但这导致它们的性能在高温下不稳定。通过制造单晶或大量合金化来消除扩散界面有助于解决这个问题，但在较高的同源温度下不能抑制原子扩散。
退火细化晶粒的原理在于重结晶，即在退火过程中，通过奥氏体重结晶形成，改变原有粗大晶粒的状态，在随后的处理中，如果能保证重结晶形成的奥氏体晶粒不长大（控制加热温度和时间），即可达到细化晶粒的作用。
尼龙脚和铝合金脚的没有区别 由于半导体材料的纯度要求控制在ppb数量级以下，因此石英玻璃则应控制在PPm数量级以适应半导体工业的需要。B的分凝系数近于1，最难除掉，是最有害的杂质之一，Cu、Fe、Ti等影响半导体的少子寿命，K、Na、Li是单晶材料产生微缺陷的有害杂质。
闪烁晶体高能物理用闪烁晶体
在高能物理实验的前沿探索中，研究更高能量辐射（约TeV级及以上）的装置需求巨大，对闪烁晶体的性能提出了严格要求。首先，理想的晶体需具备高密度（至少7g/cm），快速衰减（15至50ns）以及能承受高剂量辐射（约1TeV）的特性，同时价格还得合理。
为了推动闪烁晶体在核医学成像中的应用，当前的关键任务是优化闪烁晶体的性能并降低生产成本。其中，BGO，作为PET（正电子发射断层成像）的常用闪烁晶体，其高昂的价格（高达数百万美元）是导致PET设备价格居高不下的重要因素之一。因此，寻找替代品或者改进现有材料，以降低BGO的生产成本，是亟待解决的问题。
以下是几种常见的闪烁晶体：NaI（钠碘化物）闪烁晶体：具有较高的光产额和较短的发光衰减时间，广泛应用于核物理实验与医学成像领域。CsI（铯碘化物）闪烁晶体：具有较高的密度和较好的光产额，常用于高能物理实验和核医学成像等应用。