ab两个导体球,相距甚远
1、两球接触时电势相等，根据电势计算公式φ=q/4πεr可得A与B带电量之比为半径之比即3：1，所以A带电3Q/4，B带电Q/4 再由库仑定律F=q1q2/（4πεr*r）得静电力 F=3Q*Q/（64πεR*R）同意的话麻烦采纳哦。。
2、是不是可以这样理解：条件：隔开很远，则两导体球电场互不影响；细导线连接，则两球等势，且导线上电荷可忽略。
3、易知球壳中心电势为零，球壳B总的电荷量为零，利用点电荷Q和球壳A在壳中心总的电势为零，可求出球壳A感应出的电荷量。
4、A球右侧的力会比左边的大，所以，小球向右移动。同理，B球两侧的力相等，不动。C球向左移动。3。空心导体也一样，内部场强为0，加多少电量都为0，所以不变。人家说电量增加，是指增加了相同电电荷，如果加相反电荷的话叫减少。4。题中的这种形式相当于两个相同电荷相互作用。
5、两同心导体球壳，内球壳带电+q，外球壳带电-2q。静定平衡时外球壳内、外表面的电荷分布各为 -q 和 -3q。点电荷是带电粒子的理想模型。真正的点电荷并不存在，只有当带电粒子之间的距离远大于粒子的尺寸，电荷分为正电荷和负电荷。
6、不会，电荷量的分配取决于两个小球是否带电及带电情况。如果两个小球中只有一个带电，另一个不带电，接触后电荷量不会平分。具体分配情况取决于带电小球的电荷量和两个小球的导电性质。
一半径为r的导体球表面的面点荷密度为
1、一半径为 R 的导体球表面的面点荷密度为 σ ，则在距球面 R 处的电场强度σ /4 ε 0。均匀带电球壳（带电总量为Q）球心，距离为r处电势为kQ/r（对于球壳的情况，仅在外部适用）（球壳内部电势为kQ/R， R是球的半径）。
2、半径为R的导体球表面的面点荷密度可以用以下公式来计算：σ = Q / （4πR^2）其中，Q是球体上所带电荷的总量，R是球体的半径，σ是球体表面的面点荷密度。这个公式基于高斯定理，它描述了电场在封闭曲面上的通量与该曲面内的电荷量之间的关系。
3、做与球面同心的球面作为高斯面，半径设为2R。由对称性，场强沿高斯面半径方向，高斯面上各点场强的大小处处相等。由高斯定理：E*4π（2R）^2=4πR^2 σ/ε0 E=σ/4ε0 用库仑定律也可以做。把表面电荷等效到球心，即球心处有个带电量为4πR^2 σ的点电荷，求距离为2R处的场强即可。
4、是的。孤立导体处于静电平衡时，它的表面各处面电荷密度与各点表面的曲率有关，曲率越大的地方（表面凸出的尖锐部分），面电荷密度也大；曲率为负（凹进去）的地方电荷面密度更小。
5、带电导体球的表面电势写为Q/，其中Q是导体球所带的电荷量，R是导体球的半径，ε是介电常数，这个公式是基于静电学的原理和高斯定理得出的。以下是对该公式的详细解释： 静电平衡状态： 当带电导体球处于静电平衡状态时，其内部的电场强度为零。
什么是半径为R的导体球表面的面点荷密度?
1、其中，Q是球体上所带电荷的总量，R是球体的半径，σ是球体表面的面点荷密度。这个公式基于高斯定理，它描述了电场在封闭曲面上的通量与该曲面内的电荷量之间的关系。在这个公式中，我们假设导体球是一个理想的导体，因此电荷只存在于球体表面，且球体内部不含电荷。
2、一半径为 R 的导体球表面的面点荷密度为 σ ，则在距球面 R 处的电场强度σ /4 ε 0。均匀带电球壳（带电总量为Q）球心，距离为r处电势为kQ/r（对于球壳的情况，仅在外部适用）（球壳内部电势为kQ/R， R是球的半径）。
3、是的。孤立导体处于静电平衡时，它的表面各处面电荷密度与各点表面的曲率有关，曲率越大的地方（表面凸出的尖锐部分），面电荷密度也大；曲率为负（凹进去）的地方电荷面密度更小。
密度怎么读
1、密度拼音：[mì dù]。密度是对特定体积内的质量的度量，密度等于物体的质量除以体积，可以用符号ρ（读作[r ]）表示，国际单位制和中国法定计量单位中，密度的单位为千克每立方米，符号是kg/m3。
2、用符号ρ表示，读作rōu。在国际单位制中，密度的主单位是千克/米3，而常用的单位还有克/厘米3。密度的数学表达式为ρ=m/V，其中m代表质量，V代表体积。在国际单位制下，质量的基本单位是千克，而体积的基本单位是立方米。因此，取1立方米物质的质量来定义物质的密度。
3、密度的读音为[mì dù]。以下是关于密度的进一步介绍：定义：密度是对特定体积内的质量的度量。密度等于物体的质量除以体积。符号：在物理学中，密度常用符号ρ来表示。单位：在国际单位制和中国法定计量单位中，密度的单位为千克每立方米，符号是kg/m3。
电动力学随笔(9)——电像法求解泊松方程第二部分
1、在随笔（5）中，我们探讨了泊松方程的唯一性定理，而在随笔（6）中，我们对第一类边界条件下的泊松方程进行了电势分解，并讨论了电势的求解。随笔（6）与随笔（8）分别以直角坐标系和球坐标系为例进行了求解，现在我们将继续探讨电势的求解问题。在这一篇随笔中，我们将开始讨论电势的求解问题。
2、解：由于导体平板接地，导体平板与无穷远处等电势且都为零。我们只需找出电场在半空间内的解。列出泊松方程以及边界条件后，我们猜测电场为等量异种电荷产生的电场。引入一个像电荷后，电势分布为，导体板对点电荷的作用力为，感应电荷分布为，空间中的总静电能为。
3、Neumann边界条件涉及电势法向导数为零的情况，这对应于表面电场沿切线方向。例如，无穷大导体平面上的导体球，其格林函数可以表示为球坐标系下的[公式]。电像法提供了启发，通过模拟电荷分布来形成电势分布，从而推导出更多边界条件下的格林函数。
4、起源：格林函数起源于解决泊松方程，它是静电学中描述电势分布的核心工具。基本形式：格林函数通过满足特定边界条件来描述电势分布，这些边界条件可以是Dirichlet边界条件或Neumann边界条件。电像法诱导的格林函数：电像法概念：电像法通过模拟电荷分布来形成电势分布，从而推导出更多边界条件下的格林函数。
