体心立方晶格的密度计算过程
1、体心立方晶胞体积V等于d^3 = （4r/3^0.5）^3。堆积密度等于2乘以原子体积除以V，即π r^3 / （2V） = 55%。体心立方晶胞的原子数为2，配位数为8，堆积密度为55%。面心立方晶胞的原子数为4，配位数为6，堆积密度为704%。
2、体心立方结构的堆积密度，通常以百分比表示，大约为602%。这个数值的计算方法并不复杂，它基于一个数学公式：η = 2（4/3）π[（√3）/4）a]^3 / a^3 其中，a 代表晶格常数，是晶体结构的基本长度单位。
3、单位晶胞原子数为2，配位数为8，原子半径根号（3）/4 a（设晶格常数为a），致密度0.68 体心立方晶格的原胞与晶胞不同，在体心立方格子的晶胞中，以一个顶点作为原点，向近邻3个体心格点作出3个基矢，由此3个基矢构成的平行六面体就是体心立方的原胞。
4、在计算体心立方晶体的线密度时，需将晶胞中小球的半径除以原子所在的线的数目。而面密度则是通过将晶胞中小球的表面积除以原子所在的面的数目得出。体心立方晶体，简称BCC，自铁器时代起，具有BCC结构的金属或合金便被人类广泛应用于生产和生活中。
5、利用晶胞中小球的半径除以原子所在的线的长度就是线密度；利用晶胞中小球的面积除以原子所在的面的面积就是面密度。体心立方晶体 从铁器时代开始，bcc结构的金属或者合金已经被人类广泛地应用到生产和生活当中。它们最主要的优点是在很宽的温度范围和很大的应变状态下都表现出很高的强度。
6、以面心立方为例：在一个立方体内有4个圆球，6个面每面是半个，合起来是3个，8个顶点每个是1/8个圆球，合起来是1个，所以共有4个圆球。而这个立方体的边长为√2（两个圆球的直径），而致密度就等于4个圆球的体积除以这个立方体的体积。
晶格常数和密度的关系
该公式表明，晶体的密度与晶格常数成反比例关系，即晶格常数越大，密度越小；晶格常数越小，密度越大。换句话说，在给定晶体结构和原子组成的情况下，晶格常数和密度之间具有确定的反比例关系，可以通过晶体的密度和晶格常数相互计算。
Ni的晶格含有4个Ni，所以其质量为m=4M/NA，体积V为a^3，所以密度就是两者之比。如果将大量的原子聚集到一起构成固体，那么显然原子会有无限多种不同的排列方式。而在相应于平衡状态下的最低能量状态，则要求原子在固体中有规则地排列。
称为晶胞（即固体物理中的“原胞”概念）；晶格常数（或称之为点阵常数）指的就是晶胞的边长，也就是每一个平行六面体单元的边长，他是晶体结构的一个重要基本参数。
银的晶格常数即根号2乘以0.144等于0.203646753。银的密度为5。银是面心立方晶格，所以晶格常数是根号2倍的原子直径。银密度是单位体积的质量。
晶体的密度等于晶体总质量除以总体积，也就等于每个晶胞的质量m，除以晶胞的体积V。d=m/V=Zm0/abc=ZM/abcNA， Z=abcdNA/M。其中m0是每个分子的质量，每个晶胞中有Z个分子，晶胞的质量就是Zm0。NA为阿伏伽德罗常量。计算时要注意单位的统一。
立方晶胞中有几个原子?
1、体心立方晶格有0.5个原子。因为体心的位置为（0.5，0.5，0.5）不可能在（111）晶面上的。所以体心立方（111）的面密度为1/（√3a2）。单位面积上有多少个原子。题主同样要注意面密度和面致密度的区别。
2、四个角 4 个原子，但每个角上的原子只有 1/4 在立方晶胞的底面上， 以一个面计算，共有 4*1/4 = 1 个原子对角线上（面心的“心”） 1 个原子，一个晶胞的底面上共有2个原子，面密度 2/S = 2/a^2。
3、面心立方晶胞有4个原子。体心晶格的晶胞中除了体心一个原子外，晶胞顶点还有原子，但每个顶点不属于一个晶胞，是八个晶胞共用的顶点。对于每个晶胞来说，只分摊到1＊1/8＝1个。体心＋顶点共两个原子。
4、简单立方晶胞只包含一个原子，空间利用率是1/8，即[公式]。这种模型中的原子处于晶胞的顶点，形成一个基本的立方体结构。体心立方（body-centered cubic packing， bcp）体心立方晶胞包含2个原子，一个位于晶胞中心，另一个位于晶胞底面的体对角线上。
5、面心立方晶格（Face-Centered Cubic， FCC）是晶体结构的一种，其晶胞为立方体，其中立方体的八个顶点和六个面的中心各有一个原子。面心立方晶胞的特征 面心立方晶胞的特征包括： 晶格常数：晶胞的三个轴a、b、c相等，且三个轴之间的角度α、β、γ均为90°。
Ni的晶体结构为面心立方结构,其原子半径为r=0.1243nm,试求Ni的晶格常数...
根号2）*a=4*r，a=2*（根号2）*r。Ni的晶格含有4个Ni，所以其质量为m=4M/NA，体积V为a^3，所以密度就是两者之比。如果将大量的原子聚集到一起构成固体，那么显然原子会有无限多种不同的排列方式。而在相应于平衡状态下的最低能量状态，则要求原子在固体中有规则地排列。
面心的原子会与该面四个顶点上的原子紧密接触。具有这种晶格的典型金属包括铝（Al）、铜（Cu）、镍（Ni）、金（Au）、银（Ag）和γ-铁（γ-Fe，其转变温度范围为912℃至1394℃）。
四个角 4 个原子，但每个角上的原子只有 1/4 在立方晶胞的底面上， 以一个面计算，共有 4*1/4 = 1 个原子对角线上（面心的“心”） 1 个原子，一个晶胞的底面上共有2个原子，面密度 2/S = 2/a^2。
半导体物理名词解释&刘恩科第七版&中科院804考研(二)
n型半导体：主要由导带电子导电的半导体称为n型半导体。p型半导体：主要由价带空穴导电的半导体称为p型半导体。空穴的牵引长度：空穴在强电场作用下进行定向移动的有效范围称为牵引长度。
理想半导体：原子振动、杂质存在、晶格缺陷。半导体太阳电池原理：利用内建电场产生光电效应，将光能转换为电能。光电池（光电二极管）原理：pn结受光后产生光生电动势，形成电流。半导体发光器件原理：电子激发后释放能量，产生光辐射。半导体激光器件原理：光量子放大，形成分布反转，发射激光。
半导体物理学是一门专注于研究半导体材料的原子状态与电子行为的学科，它隶属于固体物理学的范畴。此领域的研究首先基于晶体结构学和点阵动力学，探索半导体的原子排列方式以及晶体生长的原理，同时关注晶体中的杂质和缺陷如何影响其性能。
半导体类型辨识： - N/P型半导体： 通过掺杂元素赋予的电子/空穴特性，决定半导体类型。 载流子行为： - 简并与非简并： 费米分布或玻尔兹曼分布，定义电子行为的复杂性。 杂质世界： - 杂质类型： 施主/受主、替位/间隙/等电子杂质，影响半导体性能。
半导体的解释 [semiconductor] 导电性能 介于 金属 导体和绝缘体 之间 的 物质 ，一般是固体（如锗、硅和某些化合物），其中杂质含量和外界条件的 改变 （如温度变化、受光照射等）都会使其导电性发生变化 详细解释 导电性能介于导体与绝缘体之间的物质，如锗、硅以及某些化合物等。
声子就是“晶格振动的简正模能量量子。”对此，我们可以更详细地予以解释。在固体物理学的概念中，结晶态固体中的原子或分子是按一定的规律排列在晶格上的。在晶体中，原子并非是静止的，它们总是围绕着其平衡位置在作不断的振动。